¡Síguenos!Científicos del Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, del Instituto de Ciencias de la BUAP (CIDS-ICUAP), diseñaron y construyeron el primer sistema MOCVD (*Metal Organic Chemical Vapor Deposition*) que funciona en la Institución, para obtener nitruros del grupo III: nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) y nitruro de indio (InN), elementos semiconductores con propiedades para fabricar circuitos optoelectrónicos.
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El GaN -que se obtiene en una primera etapa- es el material usado para fabricar dispositivos optoelectrónicos capaces de emitir en el azul como láseres y leds, base de los equipos que han revolucionado la tecnología como las pantallas de LED y Blu-ray DVD, así como dispositivos electrónicos de alta potencia. Uno de los principales retos en su fabricación es lograr una alta calidad cristalina.
Godofredo García Salgado, responsable de la investigación, indicó que este proyecto inició hace seis años. Se diseñó, construyó y caracterizó con el apoyo de estudiantes del posgrado en dispositivos semiconductores, con diversos financiamientos (PROMEP, VIEP, ICUAP), y se puso en marcha en 2015. Es un equipo delicado por el tipo de precursores metal-orgánicos (gases) usados para el crecimiento de estos materiales.
La propuesta de este grupo de trabajo es obtener un sustrato adecuado y económico. En este primer paso se obtendría GaN de mediana calidad, posteriormente se crecería la capa principal de gran calidad cristalina usando amoniaco y trimetilgalio.
Una vez conocidas las características estructurales, morfológicas y ópticas del nitruro de galio, el siguiente paso de la investigación será la fabricación de dispositivos como diodos emisores de luz, fotodetectores, transistores de alta potencia, entre otros, abundó el doctor en Ingeniería Eléctrica, con especialidad en Electrónica del Estado Sólido, por el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados (Cinvestav), del Instituto Politécnico Nacional (IPN).
